1Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Niveau: Secondaire, Lycée, Terminale 1Motorola Bipolar Power Transistor Device Data . . . designed for general–purpose switching and amplifier applications. • DC Current Gain — hFE = 20–70 @ IC = 4 Adc • Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc • Excellent Safe Operating Area MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Value ÎÎ ÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ VCEO ÎÎÎÎ 60 ÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎ VCER ÎÎÎÎ 70 ÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎ VCB ÎÎÎÎ 100 ÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎ VEB ÎÎÎÎ 7 ÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ IC ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 15 ÎÎ ÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎ IB ÎÎÎÎ 7 ÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Power Dissipation @ TC = 25C Derate above 25C ÎÎÎÎ PD ÎÎÎÎ 115 0.657 ÎÎ Watts W/C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ TJ, Tstg ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ –65 to +200 ÎÎ ÎÎ C THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Max ÎÎ ÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎ R?JC ÎÎÎÎ 1.52 ÎÎ C/W 160 0 0 25 50 75 100 125 150
- îîîî
- area curves indicate
- voltage —
- area
- bipolar power
- îîî
- safe operating
- any products
- indicate
- current